Neue Solidstate-Speichertechnik von IBM

Von IBM, Macronix und Qimonda wird derzeit eine neue Speichertechnik entwickelt, die die Nachfolge der aktuell in Computern, Digitalkameras und anderen Handheld-Geräten genutzten Flashspeicher-Chips antreten könnte. Genannt "Phase Change Memory", soll die neue Technik nicht nur um ein Vielfaches schneller sein als bisherige Solidstate-Flash-Bausteine, sondern auch in geringeren Baugrößen realisierbar. Zudem soll die neue Technik bei Datentransfers auch nur die Hälfte des Stroms verbrauchen und nicht wie Flashbausteine nach häufigem Gebrauch an Zuverlässigkeit einbüßen - daher könnte sich der Phase-Change-Speicher auch als zukünftiger Ersatz für herkömmliche Festplattensysteme eignen. Die Basis eines Phase-Change-Speichers bildet ein winziger Halbleiter-Baustein, dessen Zustand entweder einer geordneten kristallinen Struktur mit wenig elektrischem Widerstand entspricht oder einer amorphen, ungeordneten Struktur mit hohem Widerstand. Der Wechsel zwischen diesen Zuständen dauert nur wenige Nanosekunden. Zwar wurde bisher nicht erklärt, wie exakt diese Phasen verwendet werden, um Daten zu speichern. Denkbar wäre aber, vereinfacht ausgedrückt, dass sie für 0 und 1 stehen - die binäre Sprache der Computer. Erste nutzbare Ergebnisse dieser neuen Technik sollen voraussichtlich im Jahr 2015 auf den Markt kommen.